Multi-Level Cell (MLC)

Multi-Level Cell ist ein bestimmter Typ an Flash-Memory, der mehr als ein Bit pro Speicherzelle abspeichert. MLC-Flash ist günstiger als Single-Level Cell. Dadurch wird MLC vermehrt in Consumer-Produkten als Solid-State Storage (SSS) eingesetzt.

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Flash-Optionen: Was SCM und Computational Storage bringen

Flash-Speicher ist keine neue Erfindung, konnte sich aber erst mit Lösungen wie SLC, NAND, All-Flash-Arrays und SSDs in Rechenzentren durchsetzen. Mit Storage Class Memory und Computational Storage verschwimmen nun die Grenzen zwischen Speicher und Memory. Lesen Sie hier das Wichtigste zu den Neuerungen am Flash-Markt.

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MLC-Flash hat eine höhere Bit-Fehlerrate als SLC-Medien, da es mehrere Möglichkeiten gibt, den Status einer Zelle zu missinterpretieren. Bei Single-Level Cell wird nur ein Bit pro Zelle gespeichert und somit ist nur einer von zwei Status möglich: programmiert (0) oder gelöscht (1). Im Gegensatz dazu kann die Zelle bei MLC mehr als nur zwei Zustände annehmen, da jedes Bit in der Speicherzelle entweder programmiert oder gelöscht ist.

MLC-2, beispielsweise, hat vier Zustände, MLC-3 sogar acht und MLC-4 kommt auf 16 Status. Wie auch bei SLC wird jeder Zustand durch die elektrische Ladung bestimmt, die die Speicherzelle aufweist.

Je mehr Bits eine Speicherzelle hat, desto weniger Schreib-Zyklen kann diese überdauern. So kann zum Beispiel eine 2-Bit-Zelle zwischen 3.000 bis 10.000 Schreib-Zyklen abarbeiten, bevor sie fehleranfällig wird. Eine 3-Bit-Zelle kommt nur auf 300 bis 3.000 Schreiboperationen.

Wenn die Zelle bis zu ihrem Limit beschrieben wird, dann „vergisst“ sie, was sie gespeichert hat und die Daten können beschädigt werden. Hersteller arbeiten daran, diese Beschränkungen der Schreib-Zyklen zu überwinden, indem sie intelligente Flash-Controller entwickeln.

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